일반기술
고분자 박막 안에 자발 형성된 다층 구조의 나노 입자층을 플로팅 게이트로 이용한 다중 준위 플래시 기억 소자와 그제작 방법 및 그의 쓰기 / 읽기 동작 제어 방법
본 기술은 고분자 박막 안에 자발 형성된 다층 구조의 나노 입자층을 플로팅 게이트로 이용한 다중 준위 플래시 기억 소자와 그 제작 방법 및 그의 쓰기/읽기 동작 제어 방법에 관한 것이다. 본 기술은 반도체 기판의 전면 상에 고분자 박막 내에 균일하게 분산된 나노 입자층을 다층으로 형성하여 플로팅 게이트를 제작하고, 플로팅 게이트의 양측부에 소스 및 드레인을 형성한다. 본 기술에 따르면, 제작 과정을 단순화하고, 기억 소자의 기억 용량을 높일 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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