일반기술

화합물 반도체 레이저 다이오드

- 개요 본 기술은 화합물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것임.- 특징 N-화합물 반도체 기판의 상부에 형성된 N-화합물 반도체층과, N-화합물 반도체층이 상부에 형성된 N-화합물 반도체 기판과, N-화합물 반도체층의 상부에 리지(RIDGE) 형태로 N-클래드층, N-웨이브 가이드층, 활성층, 에칭방지층과 P-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 형성된 제 1 적층 에피층과, 제 1 적층 에피층보다 단면적이 작은 리지 형태로 P-웨이브 가이드층 상부에 P-클래드층과 P-캡층이 순차적으로 적층되어 형성된 제 2 적층 에피층과, 제 1과 2 적층 에피층의 측면을 감싸며, N-화합물 반도체 기판의 상부에 형성된 유전막과, P-캡층과 유전막의 상부에 형성된 P-금속층과, N-화합물 반도체 기판의 하부에 형성된 N-금속층이 형성되도록 구성함.- 효과 인가전류의 구속력을 향상시켜, 임계전류(THRESHOLD CURRENT, I TH )를 낮출 수 있고, 수평/수직 방사각 비율을 개선할 수 있고, L-I(LIGHT-CURRENT)곡선에서 킨크(KINK)의 발생을 줄일 수 있으며, 열문제를 방지하고 소자의 특성을 향상시킬 수 있음.