일반기술
금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
본 기술은 금속 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 실리콘 기판 위에 금속 산화물을 증착하는 단계, 금속 산화물이 증착된 실리콘 기판을 열처리하는 단계 및 열처리된 금속 산화물이 증착된 실리콘 기판에 전자빔을 조사하여 금속 나노 결정체를 형성하는 단계를 포함하는 플래시 메모리 소자의 제조방법을 제시할 수 있다.본 기술은 SiO2 박막 내에 형성된 금속 나노 결정체를 이용하여, 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자를 형성할 수 있는 새로운 방법을 제시하고 있다. 이에 의하여 우수한 소자 재현성과 신뢰성을 가지는 플래시 메모리 소자를 저비용으로 제작할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-23
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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