일반기술

팜토 레이저를 이용한 비정질의 Ｃｏ2ＭｎＳｉ 박막의 부분결정화 방법

본 기술은 비정질 자기구조를 선택적으로 결정화시켜, 부분적으로 강자성 구조로 변화시키는 결정화 방법과 이를 이용한 자기센서 및 ID 카드를 제작할 수 있는 기술에 관한 것이다.본 기술의 특징에 의하면, Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법은, 무선 주파수를 이용한 마크네트론 증착장비를 이용하여 상온 진공에서 비정질 Co2MnSi 박막을 형성하는 단계, 및 팜토 레이저를 이용하여 비정질 Co2MnSi 박막 구조를 부분 결정화시키는 단계를 포함한다.본 기술에 따른 팜토 레이저를 이용한 Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법을 이용하면, 팜토 레이저의 두 빔의 간섭현상을 이용하여 비정질인 Co2MnS 박막을 선택적으로 자기구조로 바꿀 수 있다. 이러한 주기적인 자기 구조의 변형을 통해 Co2MnSi 박막 재료를 선택적으로 결정화함이 가능해짐으로써 영구적인 자기센서 및 ID 카드로 이용하는 데 적용될 수 있다.