일반기술
반도체 레이저 다이오드 및 그의 벽개면 형성 방법
- 개요 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 및 그의 벽개면 형성 방법에 관한 것임.- 특징 레이저광을 방출시키는 활성층을 포함하는 적층 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드의 광 출력 벽개면에 형성된 ZNS막과, ZNS막에 인접한 반도체 레이저 다이오드의 내측으로 확산된 ZN 확산층으로 구성함으로서, ZNS막을 레이저 다이오드 벽개면(FACET)에 디포지션(DEPOSITION)하여 항온조에서, 열 및 광 어닐링(ANNEALING)을 수행함.- 효과 레이저 다이오드 벽개면으로 확산층을 형성하여 자연 산화막을 제거하고, 벽개면의 열화현상을 방지할 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.