일반기술
질화갈륨 에피층 형성방법
- 개요 본 기술은 질화갈륨 에피층 형성방법에 관한 것임.- 특징 기판의 상부에 에칭공정을 수행하여 굴곡을 형성하는 제 1 단계와, 형성된 굴곡의 골진 부위에 질화갈륨을 성장시키는 제 2 단계와, 골진부위에 성장된 질화갈륨의 측면을 성장시켜 골진부위를 채우고 기판을 질화갈륨 에피층으로 밀폐하는 제 3 단계로 구성함.- 효과 반응성 이온 에칭(REACTIVE ION ETCHING, RIE)공정을 이용하여 기판의 표면위에 임의 굴곡을 형성하고, 그 상부에 측면 성장을 이용한 질화갈륨 에피층을 성장시켜, 결함농도를 감소시킬 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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