일반기술
접합 반도체 기판 및 그 제조 방법
이온 주입 후, 접합, 열처리에 의해 박리된 후의 접합 기판의 활성층의 표면을, 에칭작용을 갖는 용액에 의해 1㎚∼1㎛만 에칭하고, 최종활성층의 두께를 200㎚ 이하로 한다. SC-1액을 사용한다. 에칭의 전후에 연마, 수소 어닐링, 희생산화를 실시할 수도 있다. 이 박막 활성층의 막두께를 표면 전체에서 균일화 하고, 그 표면 거칠기를 저감할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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