일반기술

원거리 플라즈마 발생 장치

본 기술은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 특히 박막의 균일성을 향상시키고 박막의 품질을 향상시키는 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.챔버와 관련되어 설치되는 RF 안테나, 챔버 내 상부에 형성되며 다수의 플라즈마 발생가스 도입관이 균일하게 연통된 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 설치되는 DC 바이어스 발생유닛, DC 바이어스 발생유닛의 하부에 설치되며, 다수의 제 1 플라즈마 안내공이 형성된 제 1 샤워헤드, 제 1 샤워헤드 하부에 설치되며, 소스/퍼지가스 안내공과 각각 제 1 플라즈마 안내공과 직접 연결되는 다수의 제 2 플라즈마 안내공이 형성된 제 2 샤워헤드를 포함하며, 제 1 샤워헤드와 제 2 샤워헤드 사이에는 소스/퍼지가스 도입부가 형성되고, 소스/퍼지가스 도입부에는 다수의 소스/퍼지가스 도입관이 연통되는 원거리 플라즈마 발생장치가 개시된다.본 기술에 따르면 플라즈마 발생가스를 기판에 균일하게 공급함으로써 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 플라즈마 발생시 생성되는 양이온을 적절하게 제어하여 박막을 품질을 향상시킬 수 있다.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 기타 반도체
보유기관
한양대학교
기술유형
일반기술
등록일
2008-01-24
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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