일반기술
원거리 플라즈마 발생 장치
본 기술은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 특히 박막의 균일성을 향상시키고 박막의 품질을 향상시키는 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.챔버와 관련되어 설치되는 RF 안테나, 챔버 내 상부에 형성되며 다수의 플라즈마 발생가스 도입관이 균일하게 연통된 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 설치되는 DC 바이어스 발생유닛, DC 바이어스 발생유닛의 하부에 설치되며, 다수의 제 1 플라즈마 안내공이 형성된 제 1 샤워헤드, 제 1 샤워헤드 하부에 설치되며, 소스/퍼지가스 안내공과 각각 제 1 플라즈마 안내공과 직접 연결되는 다수의 제 2 플라즈마 안내공이 형성된 제 2 샤워헤드를 포함하며, 제 1 샤워헤드와 제 2 샤워헤드 사이에는 소스/퍼지가스 도입부가 형성되고, 소스/퍼지가스 도입부에는 다수의 소스/퍼지가스 도입관이 연통되는 원거리 플라즈마 발생장치가 개시된다.본 기술에 따르면 플라즈마 발생가스를 기판에 균일하게 공급함으로써 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 플라즈마 발생시 생성되는 양이온을 적절하게 제어하여 박막을 품질을 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.