일반기술

발광다이오드

본 기술은 반도체 장치로 발광다이오드에 관한 것이다.발광다이오드(LED:light emitting diode)는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체 장치로서 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다.본 기술은 발광다이오드는 기판 상에 위치하는 제1 반도체층, 제1 반도체층 상에 위치하고, 제1 반도체층의 일부를 노출하는 활성층, 활성층 상에 위치하는 제2 반도체층, 노출된 제1 반도체층 상에 위치하는 제1 전극 및 제2 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 제1 전극은 기판의 일변의 일측에 위치하는 제1 주요부와, 제1 주요부로부터 기판의 다른 변들을 따라 신장하는 제1 연장부를 갖고, 제2 전극은 기판의 일변의 타측에 위치하는 제2 주요부와, 제2 주요부로부터 신장하되 기판의 중심부에서 제1 연장부와 대향하는 제2 연장부를 갖는다.본 기술은 발광다이오드의 제1 전극과 제2 전극 간 전류의 흐름이 균일하게 확산될 수 있고, 발광다이오드는 전 영역에서 균일한 광도를 가질 수 있다.