일반기술

유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

본 기술은 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터(OITFT: organic-inorganic thin film transistor) 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 기술은 기판 위에 형성되는 소스 및 드레인, 소스 및 드레인을 포함하는 기판 전면에 형성되는 무기 채널층, 무기 채널층 전면에 형성되는 절연층, 절연층 전면에 형성되는 무기 배리어층 및 무기 배리어층 위에 형성되는 게이트를 포함하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터가 개시된다.본 기술에 따른 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터는 무기 배리어층을 형성함으로써 고유의 휨 특성을 유지하면서 누설전압을 효과적으로 차단할 수 있다는 이점이 있다.또한, 무기 채널층을 적용함으로써, 종래의 유기 - 전계효과 트랜지스터의 유기 채널층과 비교하여 높은 이동도를 가지게되어 소자 동작속도가 크게 향상되고 소자 동작 전압을 줄일 수 있다는 이점이 있다.또한, 무기 배리어층과 무기 채널층의 형성에 원자층 증착방법을 이용함으로써 나노미터 수준의 초박막을 형성할 수 있어 휨 특성을 갖는 디스플레이를 위한 트랜지스터 제작에 효과적이며, 특히 저온 증착이 가능하므로 플라스틱 기판에 가해지는 열적 손상을 제거할 수 있다.