일반기술
발광다이오드 및 그 형성 방법
본 기술은 반도체 장치에 관한 것으로 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.발광다이오드는 기판 상에 위치하는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고, 제1 반도체층의 일부가 활성층 및 제2 반도체층에 의해 덮히지 않고 노출되는 발광 구조물, 노출된 제1 반도체층 상에 위치하는 제1 전극, 제2 반도체층 상에 위치하는 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이의 발광 구조물 상에, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 이격된 도전 패턴을 포함한다.본 기술의 발광다이오드는 정전기 방전에 대한 내성을 강화할 수 있고, 전류 집중 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 발광다이오드의 신뢰성이 향상된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-25
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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