일반기술
갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법
본 기술은 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법을 개시한다. 본 기술은 원자층 증착법을 이용하여 단결정 실리콘 기판 상에 완충층인 하프늄 나이트라이드(HfN)층과 갈륨 나이트라이드(GaN)층을 저온에서 형성함으로써 양질의 갈륨 나이트라이드(GaN) 기판을 제공할 수 있다. 또한, 하프늄 나이트라이드층 내의 실리콘(Si), 하프늄(Hf) 및 갈륨(Ga)의 조성비를 상호 확산을 방지하기 위해 적절히 조절할 수 있다. 따라서, 본 기술은 하프늄 나이트라이드층과 갈륨 나이트라이드층의 상호 확산을 최소화시킬 수가 있다. 또한, 단결정 실리콘 기판이나 하프늄 나이트라이드층에 물리적 손상을 주지 않음과 아울러 단결정 실리콘 기판과의 상호 확산을 억제할 수 있다. 그러므로, 본 기술은 양질의 갈륨 나이트라이드 기판을 제공할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-25
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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