일반기술
플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한ＲｅＲＡＭ 소자의 제조 방법
산화박막을 플라즈마 가스처리함으로써 산화박막의 안정화를 개선할 수 있는 ReRAM 소자의 제조방법이 제공된다. ReRAM 소자의 제조방법은, 기판상에 하부 전극막을 형성하는 단계, 진공분위기에서 하부 전극막상에 산화박막을 형성하는 단계,, 진공분위기에서 산화박막을 플라즈마 가스처리하는 단계,, 플라즈마 가스처리된 산화박막상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.본 기술에 따르면, ReRAM 소자용 산화박막의 안정화를 위해 플라즈마 가스처리를 진행하기 때문에 공정이 간단하고 ReRAM 소자 동작시 안정된 세트/리셋 전압으로 소자동작의 안정성을 확보하여 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-25
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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