일반기술
ＳｉＯ₂박막 내 금속 나노 결정체의 형성 방법
본 기술은 플래시 메모리 소자의 제조에 있어서, SiO2 박막 내 금속 나노 결정체의 형성방법에 관한 것이다.플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조에 있어서, SiO 2 박막 내에 금속 나노 결정체를 형성할 수 있는 방법이 제시되어 있다. 본 기술의 방법에 의하면 간편하게 SiO 2 박막 내 금속 나노 결정체를 형성하고 그 크기를 제어할 수 있으므로 저비용으로 고효율의 플래시 메모리 소자를 제작하는데 유용하게 사용될 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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