일반기술
반도체 레이저 제조방법
본 기술은 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체층간의 계면에 존재하는 불순물을 제거하기 위한 것이다.- 특징식각에 의해 공기중에 노출되었던 반도체 결정면을 수소분위기의 LPE장치내에서 살짝 멜트백시킴으로써 오염된 부분을 제거하고, 연속해서 제2차 결정성장을 행하므로 계면을 따라 흐르는 누설전류를 없앨 수 있어 아주 낮은 전류로도 반도체 레이저를 발진시킬 수 있으며, 활성층 부위(메사부위의 측면)의 오염에 의한 결함들을 제거함으로써 소자의 동작수명을 증가시킬 수 있다.InGaAsP/InP계의 광통신용 반도체 레이저의 수명을 증가시킬 수 있고, LPE로 성장시킬 수 있는 모든 결정(반도체)종류의 반도체 레이저 제작에 이용할 수 있고, 특히 AlGaAs/GaAS계의 광소자에 있어서 식각후 산화의 영향이 큰 AlGaAs층위의 결정 재성장에 큰 효과를 가져 온다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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