일반기술
반도체 레이저
본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로, 특히 파장이 적색이고, 고효율 특성을 갖는 반도체 레이저에 관한 것이다.- 특징횡축 전류 제한에 의해 발광효율을 증대시킬 수 있고, AlGaInP 클래드층의 두께를 자유롭게 조절할 수 있으며, 도파 특성을 극대화할 수 있다.고농도 ZnSe층을 이용함으로써 클래드층의 산화를 방지하고 우수한 오믹 접촉 특성을 얻을 수 있으며, 활성층의 폭을 조절함으로써 발광패턴을 원형화(빔 스폿이 작게 형성됨)할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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