일반기술
Ⅲ-Ｖ족 ＧａＮ 반도체 광소자
본 기술은 화합물 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 Ⅲ-Ⅴ족 GaN 반도체 광소자에 관한 것이다.- 특징투명 수지의 몰딩시 나타나는 스트레스(stress)를 막아주므로 조립 수율 및 소자의 성능이 향상되며, 열 방출이 매우 효율적이므로 고출력 동작에 유리하다.보조 기판의 밑면을 음극과 같이 사용할 수 있어 조립이 단순하다.p형 전극을 전면 전극으로 사용할 수 있어 소자의 동작 전압을 낮출 수 있다.소자의 상부가 투명한 사파이어 기판이므로 활성층에서 발생된 빛을 상부쪽으로 모아주어 빛의 소모를 줄일 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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