일반기술
도펀트 활성화 방법
본 발명은 도펀트 활성화 방법에 관한 것으로서 나노 두께의 금속층이 증착된 실리콘 박막에 도펀트를 주입하고, 펄스 형식의 주기적 급속 열적 어닐링(Pulsed Rapid Thermal Annealing, PRTA) 시스템을도입함으로써, 저온에서 단시간 열처리가 가능하여 보다 효과적인 도펀트 활성화 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 기술은 산화막이 형성된 기판 상에 박막을 증착하는 단계와, 단계에서 증착된 박막 위에 나노 두께의 금속층을 물리적 또는 화학적 방법에 의해 증착하는 단계와, 단계에서 증착된 금속층 위에 이온 주입(IMD) 공정을 통해 도펀트를 주입후 100~500℃ 온도에서 열처리하되, 열처리 과정 중에 10~200초 주기로 300~800℃ 온도에서 1~30초 동안 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 방법을 제공한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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