일반기술
반도체 기판 및 이의 제조 방법
본 기술은 기판 상에 매몰 절연층 및 제 1 실리콘층이 형성된 SOI 웨이퍼를 준비하는 단계, SOI 웨이퍼 상에 SiGe층을 성장시키는 단계 및 소정 온도에서 가열하는 산화 공정을 통해 매몰 절연층 상에 이완 SiGe층 및 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법을 제공한다. 또한, 본 기술은 기판, 기판 상에 형성된 매몰 절연층 및 매몰 절연층 상에 형성된 이완 SiGe층을 포함하고, 이완 SiGe층은 매몰 절연층 상에 성장시킨 Si층 및 SiGe층의 산화를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 제공한다. 이에 따라, 본 기술은 스트레인드 Si층을 형성하기 위한 이완 SiGe층의 Ge 농도를 높여 전기적 특성을 향상시키고, 두께를 감소시킬 수 있으며, 결정 결함이 적은 스트레인드 Si층을 포함하는 반도체 기판을 제조할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.