일반기술

반도체 소자의 엠아이엠 캐패시터 형성 방법

본 기술은 원자층 증착방법을 이용하여 하부전극, 유전박막 및 상부전극의 형성하도록 함으로써, 두께가 얇으면서도 소자의 정밀도를 높일 수 있는 고유전율 재료를 증착시키고, 전체적으로 이를 통해 형성된 MIM 캐패시터에 의한 반도체 소자의 특성을 향상시키는 반도체 소자의 엠아이엠 캐패시터 형성방법을 제공하는데 그 특징이 있다.또한, 본 기술은 하부전극의 물질로 Ru, RuTiN, TiN, Pt, Ir, RuO 2 , IrO 2 등의 귀금속 또는 귀금속 산화물 박막을 이용하고, 유전박막의 물질로 ZrO 2 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , La 2 O 3 , Al 2 O 3 , TiO 2 등을 사용하며, 상부전극은 하부전극과 같은 물질을 사용하여 실시하는 원자층 증착방법에 의해 확산을 억제시킴으로 인해 캐패시터의 유전율과 신뢰성을 향상시키게 하는 반도체 소자의 엠아이엠 캐패시터 형성방법을 제공하는데 있다.또한, 본 기술은 전체적으로 산소의 유입 억제를 통한 누설전류를 감소시키고, 상부전극과 하부전극의 물질을 같게 하여 유전박막의 일정한 분극을 유도할 수 있어 실질적인 MIM 캐패시터를 적용하여 사용하는 반도체 소자에 대한 사용상의 신뢰도 및 만족도를 극대화시키는 반도체 소자의 엠아이엠 캐패시터 형성방법을 제공하는데 있다.