일반기술
전계 방출 소자 및 제조 방법
- 개요 본 기술은 전계 방출 소자에 관한 것으로, 특히 MIM(METAL INSULATING METAL) 제작시 하부 전극과 상부 전극이 교차하는 부분을 위주로 양극 산화막을 형성하도록 하고, 그 외의 부분에는 연결 부분을 형성하도록 하여 응력에 의한 소자 파괴를 방지하는데 적당하도록 한 전계 방출 소자 및 제조 방법에 관한 것임.- 특징 유리 기판 상부에 도전성 물질로 이루어지며, 다수의 소자 형성 위치에 단위별 버스 형태로 형성되는 하부 전극버스들과, 하부 전극 버스들 상부에 위치되며 다수의 소자 형성 위치에서 하부 전극버스들과 교차하며, 교차점 중앙부에 개구부를 구비한 상부 전극 버스들과, 상하부 전극 버스들 사이에 형성되며 상부 전극 버스들의 개구부와 상부 전극 버스들 사이의 일부 연결 영역을 제외한 부분에 위치하는 양극 산화막과, 하부 전극 버스들의 개구부 하부와 하부 전극 버스 상부에 위치한 터널 산화막을 포함함.- 효과 하부 전극과 상부 전극이 교차하는 부분에만 절연 산화막을 형성하도록 함으로써 하부 전극의 길이방향 응력에 의한 양극 산화막 파괴를 방지하여 상하부 전극의 절연성을 유지하고, 터널 산화막의 손상을 방지하도록 하는 효과가 있으며, 궁극적으로는 소자의 신뢰성 및 수명을 연장할 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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