일반기술
유기 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법
본 기술은 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서 금속 나노 입자층이 유기물 박막 안에 다층 구조로 형성되어 있는 유기 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 기술의 실시예에 따르면, 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극, 제1 전극 상에 형성된 유기물층, 유기물층 내부에 각각 이격되어 형성된 N개(N은 2 이상의 자연수)의 나노 입자층, 및 유기물층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 쌍안정성 기억 소자가 제공될 수 있다. 본 기술에 의하면 유기물 박막 내에 형성된 다층 구조의 금속 나노 입자를 기억 소자의 쌍안정성 특성 또는 다중 준위 특성의 구현을 위해 이용함으로써 고용량 및 고효율을 갖는 기억 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.