일반기술
나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법
본 기술은 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로 소오스/드레인 영역과 채널 영역이 형성된 반도체 기판, 채널 영역 상에 형성된 터널 절연막, 터널 절연막 상에 형성되고 산화 인듐 나노 입자를 포함하는 부유 게이트, 부유 게이트 상에 형성된 컨트롤 절연막, 및 컨트롤 절연막 상에 형성된 게이트 전극이 구비된 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자는 폴리이미드와 인듐간의 화학 반응을 통해 산화 인듐 나노 입자 양자점이 형성되며, 5 V의 낮은 동작 전압을 가지고, 전기적 정보의 읽기, 쓰기, 저장이 가능하다. 이뿐만 아니라 대용량, 고집적 특징을 가지는 동시에 저전력 및 고속 동작이 가능하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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