일반기술

반도체 표시소자의 제조방법

본 기술은 반도체 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 SSD(solid state display) 또는 TDEL(thick dielectric electroluminescent) 표시소자의 유전체막에 핀-홀(pin-hole) 생성을 방지함과 아울러 평탄도를 향상시키기에 적당하도록 한 반도체 표시소자의 제조방법에 관한 것이다.- 특징플라즈마 분사를 통해 강유전체를 형성함에 따라 매우 치밀한 유전체층을 형성할 수 있게 되어 기포의 발생을 최소화함과 아울러 절연파괴 강도를 증대시킬 수 있으며, 별도의 소성처리가 요구되지 않아 공정의 단순화, 생산성 증대, 원가절감 및 특성향상 등에 기여할 수 있다.500℃ 이하의 저융점 유리 분말을 적용하여 높은 열처리가 요구되지 않음에 따라 기판의 재료를 다양하게 선택할 수 있다.강유전체 상에 졸-겔 방법을 통해 평탄화층을 형성함에 따라 강유전체 표면에 잔류하는 기포를 충분히 메꾸게 되어 핀-홀의 발생을 최소화할 수 있다.양호한 표면 유동성에 의해 평활도가 향상되므로, 균일한 전기장에 의한 발광특성 향상에 기여함과 아울러 발광층과의 접착력이 향상됨에 따라 절연파괴 강도의 증대가 이루어진다.