일반기술
ＲｅＲＡＭ 소자 및 그 제조 방법
본 기술은 제조 공정이 간단하고 높은 재현성을 확보할 수 있는 ReRAM 소자 제조 방법과, 이에 의해 제조되어 우수하고 안정된 소자 특성을 나타내는 ReRAM 소자를 제공한다. 본 기술에 따른 ReRAM 소자 제조 방법은 기판 상에 하부 전극막을 형성하는 단계와, 진공 분위기에서 하부 전극막 상에 산화막을 형성하는 단계와, 진공 분위기에서 산화막 상에 금속막을 형성하는 단계와, 산화막 형성 단계 및 금속막 형성 단계를 교대로 반복 실시하여 원하는 두께의 다층 금속-산화막을 형성하는 단계와, 다층 금속-산화막을 열처리하는 단계와, 다층 금속-산화막 상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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