일반기술

투명 전도성 박막 및 이의 제조방법

<기술의 개요>본 기술은 투명 전도성 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로 In이 도핑된 ZnO를 포함하고, 다결정 구조를 가지는 투명 전도성 박막과, 이를 제조하기 위해 기판을 가열하고 스퍼터링 타켓을 이용하여 기판 상에 박막을 형성하고, 상기 얻어진 박막을 100 내지 500 ℃로 열처리하는 투명 전도성 박막의 제조방법에 관한 것이다.스퍼터링 타겟은 90 내지 95 중량%의 ZnO와 5 내지 10 중량%의 In2O3를 포함하여 스퍼터링에 의해 기판 상에 투명 전도성 박막을 형성한다. 투명 저도성 박막은 다결정 구조를 가지고, 높은 캐리어 농도 및 이동도 및 낮은 저항치를 가져 평판 디스플레이의 투명 전극이나 박막 트랜지스터의 채널층으로 바람직하게 적용되고, 식각 공정에서 에칭율이 초당 3 내지 5 mm를 가져 에칭 속도의 조절이 가능하다<기술의 특징>본 기술은 다결정 구조를 가지고, 높은 캐리어 농도 및 이동도 및 낮은 저항을 가져 평판 디스플레이의 전극이나 박막 트랜지스터의 채널층으로 적용되고, 식각 공정에서 에칭율이 초당 3 내지 5 mm를 가져 에칭 속도를 조절할 수 있는 투명 전도성 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.