일반기술
비휘발성 ＲｅＲＡＭ 소자 및 이의 제조방법
본 기술은 비휘발성 ReRAM 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 기판, 기판 상에 위치한 하부 전극막, 하부 전극막 상에 위치한 질화물 박막 및 질화물 박막 상에 위치한 상부 전극막을 포함하는 비휘발성 ReRAM 소자를 제공한다.본 기술은 공정이 간소하고, 표면 오염의 우려 없이 비휘발성 메모리 소자를 제조할 수 있는 방법이 요구되고 있으며, 본 기술은 ReRAM의 저항층으로 종래 페로브스카이트계 산화물 및 이원 산화물 등을 도입하는 것이 아닌 질화물을 도입하여 고효율 특성을 가지고 재현성이 우수하여 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있으며, 간단한 제조 공정을 통해 표면 오염의 우려가 없는 비휘발성 ReRAM 소자의 제조방법을 제공한다는 점에서 종래기술과 차별된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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