일반기술

플래시 기억소자 및 그 제조방법

<기술의 개요>본 기술은 소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판, 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 중간 영역 상에 형성되는 고분자 박막, 고분자 박막의 내부에 분포하는 CdSe 나노 입자, 소스 영역 상에 형성된 소스 전극, 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극 및 고분자 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 플래시 기억 소자가 제공된다. 본 기술에 플래시 기억 소자에 의하면, 우수한 재현성 및 신뢰성, 제조 비용의 절감 및 생산성 향상이 가능하며, 디스크형 저장 장치는 물론 휴대폰, PMP 등의 휴대용 전자기기의 대용량, 고용량의 저장 장치로서도 활용이 가능한 효과가 있다.<기술의 특징>본 기술에 따르면, 소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판, 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 중간 영역 상에 형성되는 고분자 박막, 고분자 박막의 내부에 분포하는 CdSe 나노 입자, 소스 영역 상에 형성된 소스 전극, 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극 및 고분자 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 플래시 기억 소자가 제공될 수 있다.