일반기술
소노스 메모리 소자 및 그 제조 방법
본 기술은 소노스 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 기술은, 기판의 하부에 제1 확산 영역을 도핑하는 단계, 기판을 선택적으로 식각하여 소정의 깊이의 실리콘 기둥을 형성하는 단계, 실리콘 기둥의 상부에 제2 확산 영역을 도핑하는 단계, 실리콘 기둥의 일 측면에 트랩층 적층물을 형성하는 단계, 실리콘 기둥 및 트랩층 적층물을 커버하도록 상부 절연막을 형성하는 단계 및 상부 절연막에 접촉되도록 실리콘 기둥 사이에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 소노스 메모리 소자 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 집적도를 극대화시킬 수 있는 소노스 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 형성되는 채널의 길이를 줄이지 않고 집적도를 높일 수 있는 소노스 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있는 효과도 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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