일반기술

질화갈륨 후막의 제조장치

- 개요 본 기술은 질화갈륨 후막의 제조장치에 관한 것임.- 특징 일측부터 중간부까지의 가스 공급실의 높이가 낮고 중간부부터 타측까지의 반응실의 높이가 이송 암을 이동시킬 수 있는 높이로 형성되는 진공조와, 진공조의 일측에 형성되고 가스가 주입되는 가스 주입구와, 가스 공급실에 설치되고 GA가 안착되는 보트와, 반응실에 설치되고 전방에는 질화갈륨 후막을 성장시킬 모기판이 안착되며 길이가 모기판보다 긴 지지대와, 지지대의 후방 상부에 설치되고 진공펌프와 연결되어 모기판의 상부를 통과한 반응가스들을 유도하기 위한 유도부재를 구비하고, 유도부재는, 직사각형의 단면을 가지고, 전방 상면은 상향 경사지게 형성되고, 유도부재와 진공펌프의 사이에는, 반응실의 압력을 조절하기 위한 밸브가 구비됨.- 효과 HVPE 방식으로 질화갈륨 후막을 성장시켜 제조함에 있어서, 이송 암을 반응실의 모기판의 상부로 이동시킬 수 있도록 반응실의 높이를 충분히 높이고, 모기판의 후방에는 반응가스들의 흐름을 유도하는 유도부재를 구비하여 반응가스의 래미너 플로우 상태를 유지시킬 수 있음.