일반기술
복수의 질화물 기판 성장 장치
- 개요 본 기술은 복수의 질화물 기판 성장 장치에 관한 것임.- 특징 외주면에 가열 수단이 장착되어 고온으로 가열되는 챔버와, 챔버의 일측에 장착되어 N2 분자를 생성하는 기체를 주입받으며 복수의 노즐이 설치되어 주입받은 N2 분자 생성 기체를 챔버로 배출하는 제 1 반응관과, 챔버의 타측에 장착되고 갈륨 분자 생성 분말을 수용하는 갈륨 보트를 내장하여 측단에 설치된 복수의 노즐을 통해 외부로부터 주입된 반응 가스와 갈륨 분말이 반응하여 생성된 가스를 챔버로 배출하는 제 2 반응관을 포함하여 이루어짐.- 효과 챔버내에서 하나의 갈륨 보트를 이용해 복수의 기판 상부에 질화물층을 동시에 성장시킬 수 있도록 하여 성장 장치의 크기를 줄이고, 갈륨 분자를 생성하는 분말의 불필요한 낭비를 방지하며 아울러 성장 장치의 온도 프로파일을 적절히 유지시킬 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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