일반기술

고분자박막안에 포함된 나노입자가 전하포획영역으로 작용하는 비휘발성유기쌍안정성 기억소자 및 제조방법

고분자 박막 안에 포함된 나노입자가 전하 포획영역으로 작용하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 기술에 따른 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성되는 제1전극, 제1전극 상에 형성되고 나노입자가 포함된 고분자 박막 및 나노입자가 포함된 고분자 박막 상에 형성된 제2전극을 포함한다. 여기서, 나노입자의 가전자대에서 가장 높은 에너지준위(Ev)와 고분자에서 전자가 채워져 있는 가장 높은 에너지준위(EHOMO)의 차이가 나노입자의 전도대에서 가장 낮은 에너지준위(Ec)와 고분자에서 전자가 비어 있는 가장 낮은 에너지준위(ELUMO)의 차이보다 작고, 제1전극의 페르미준위(EF1)가 제2전극의 페르미준위(EF2)보다 작으며, 고분자의 ELUMO와 제2전극의 페르미준위(EF2)의 차이가 제1전극의 페르미준위(EF1)와 고분자의 EHOMO의 차이보다 큰 것이 특징이다. 본 기술에 따르면, 구동전압이 낮아서 소비전력이 작고 낮은 읽기 전압에서도 기억상태에 따른 전류의 차이를 백 배까지 낼 수 있는 소자의 제조가 가능하다. 그리고 소자 재현성이 높으며, 소자구조가 저항 형태를 가지는 매우 간단한 구조이기 때문에 공정비용이 절감된다.