일반기술
반도체 소자 및 이의 제조방법
본 기술은 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로 실리콘 기판 상에 소자 분리를 위한 트렌치가 형성되고, 트렌치 내부에 매립 형성된 절연물질을 포함하는 반도체 소자에 있어서 트렌치 내부에 실리콘 기판과 연결되어 형성된 실리콘을 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 반도체 소자는 소자 분리를 위한 트렌치를 수직 프로파일 형태로 제작하며, 그 내부에 실리콘를 실리콘 기판과 연결되도록 수직 성장시킴으로써, 높은 종횡비의 트렌치 구조에서 보이드 발생 없이 소자 분리가 가능할 뿐만 아니라 트렌치의 상, 하부의 폭을 동일하게 형성함에 따라 소자 분리 특성을 더욱 높일 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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