일반기술
루데니움 산화물을 이용한 쇼트키 콘택 방법
본 기술은 GaN계 전계효과 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 특히 루데니움 산화물을 이용한 쇼트키 콘택 방법에 관한 것이다.- 특징가격이 저렴하고 열적·화학적으로 안정하며, 우수한 전기적 특성을 가지는 루데니움 옥사이드(Ruthenium Oxide)를 GaN계 화합물 반도체의 정류성 접합 금속으로 이용하기 때문에 고온에서 동작을 가능케 함으로써, 전자 소자의 성능 향상 및 자외선 검출 성능을 향상시킨다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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