일반기술

인덕터 부궤환을 이용한 초광대역 저잡음 증폭기

본 기술은 인덕터 부궤환을 이용한 초광대역 저잡음 증폭기에 관한 것으로, MOS(Metal Oxide Semiconductor)트랜지스터로 이루어진 공통소스 또는 캐스코드 형태의 저잡음 증폭기의 입력단 및 출력단 사이에 인덕터, 저항 및 캐패시터가 상호 직렬 연결된 부궤환 회로를 포함하는 인덕터 부궤환을 이용한 초광대역 저잡음 증폭기에 대한 것이다.본 기술은 고주파수 대역에서 임피던스를 갖는 인덕터를 포함한 부궤환 회로를 이용함으로써 고주파수 대역까지의 우수한 광대역 특성을 발현할 수 있고 초광대역(UWM) 시스템의 주파수 대역인 3.1GHz 내지 10.6GHz 범위를 만족할 수 있으며, 또한 일반적인 증폭기 구조인 단일 MOS트랜지스터를 이용한 공통소스 방식뿐만 아니라 두 개 또는 그 이상의 MOS트랜지스터를 이용한 캐스코드(cascode) 방식 등의 모든 경우에 있어서 적용될 수 있는 이점이 있다.