일반기술
반도체 소자의 제조방법
본 기술은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로 실리콘 기판 상에 측벽 산화막과 질화막을 형성하고, 실리콘 기판, 측벽 산화막, 및 질화막을 식각하여 트렌치를 형성하고, 트렌치 내부에 실리콘 기판과 연결되도록 선택적 에피택셜 성장방법으로 실리콘을 일정 높이만큼 수직 성장시키고, 실리콘을 포함하도록 트렌치 내부를 필드 산화막으로 갭 필링하는 단계를 포함하여 제조하는 반도체 소자 제조시 트렌치 내부에 선택적 산화막 성장법(SELOX)으로 산화막을 성장시킨 후 에치백 공정을 통해 필드 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.본 기술에 따라 제조된 반도체 소자는 종래 CMP 평탄화 공정을 수행하지 않고 선택적 산화막 성장법 및 에치백 공정만으로 필드 산화막을 제조하여, 높은 종횡비의 트렌치 구조에서도 보이드 발생 없이 소자 분리를 가능케 하여 소자 분리 특성을 더욱 높일 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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