일반기술

반도체 레이저

기술의 개요 - 본 기술은 바이액셜 컴프레시브 스트레인을 이용하여 새로운 II-VI족 반도체 레이저 구조의 제안으로 광이득 특성의 개선을 통하여상온에서 실온화에 적당하도록 하는 데에 있다.기술의 특징 - 본 기술은 제 1 도전형 기판과, 기판위에 형성된 제 1 버퍼층, 제 1 버퍼층 위에 형성된 전자 공급층과, 전자공급층 위에 형성된 제 1 배리어 층, 제 1 베리어층 위에 형성된 II-VI족 반도체 화합물로 이루어진 스트레인된 활성층, 활성층 위에 형성된 제 2 배리어 층과, 제 2 배리어 층위에 형성된 정공 공급 층, 정공 공급 층위에 형성된 제 2 버퍼층, 제 2 버퍼 층위에 형성된 캡층으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 스트레인 포텐셜-30mev일 때 스트레인이 없을 때보다 광학적 이득이 3배 이상 증가하는 효과를 도출한다.

기술정보

기술분류: 전기·전자 > 기타 반도체
보유기관: 한국산업기술진흥원
기술유형: 일반기술
등록일: 2008-01-30
데이터 갱신일: 정보 없음

상세설명

정보 없음

기술정보

상세설명

관련 특허