일반기술

원자 힘 현미경 나노 리소그래피를 이용한 패턴 제작 방법

본 기술은 원자 힘 현미경을 이용한 패턴 제작 방법에 관한 것으로서 패턴 제작 방법에 있어서, 저에너지의 양성자, 또는 아르곤과 같은 이온빔을 조사한 기판에 원자 힘 현미경 양극산화반응을 통해 나노 크기의 산화물을 성장시키며, 원자 힘 현미경 팁에 양전압을 인가하여 기존 음전압을 인가하여 낮은 높이를 가지는 산화물 패턴을 크게 증가시킨 원자 힘 현미경을 이용한 패턴 제작 방법에 관한 것이다본 기술은 패턴 제작 방법에 있어서, 양성자, 또는 아르곤의 이온빔을 기판에 조사하는 단계와, 이온빔이 조사된 기판에, 원자 힘 현미경 리소그래피를 수행하되 원자 힘 현미경 팁에 양전압을 인가하여 산화 구조물을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 원자 힘 현미경을 이용한 패턴 제작 방법에 그 특징이 있다.또한, 본 기술은 패턴 제작 방법에 있어서, 양성자, 또는 아르곤의 이온빔을 기판에 조사하는 단계, 이온빔이 조사된 기판에 원자 힘 현미경 리소그래피를 수행하되 원자 힘 현미경 팁에 음전압을 인가하여 제1산화 구조물을 형성하는 단계 및 원자 힘 현미경 팁에 양전압을 인가하여 제1산화 구조물 상에 제 2 산화 구조물을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 원자 힘 현미경을 이용한 패턴 제작 방법에 또 다른 특징이 있다.