일반기술
탄소나노튜브를 이용한 스핀 밸브 단전자 트랜지스터
본 기술은 단전자 트랜지스터(SET, Single Electron Transistor)에 관한 것으로서, 특히 탄소나노튜브 브리지(Carbon NanoTube Bridge)를 수평성장시켜 단전자 트랜지스터를 구현하고, 탄소나노튜브가 형성된 소스(source)와 드레인(drain) 전극의 접촉 촉매를 원하는 방향으로 자화시킴으로써, 스핀 밸브(spin valve)와 단전자 트랜지스터를 동시에 구현할 수 있는 탄소나노튜브를 이용한 스핀 밸브 단전자 트랜지스터에 관한 것이다.- 특징탄소나노튜브 브리지를 수평성장시켜 단전자 트랜지스터를 구현하고, 탄소나노튜브가 형성된 소스와 드레인 전극의 접촉 촉매를 원하는 방향으로 자화시킴으로써, 스핀 밸브와 단전자 트랜지스터를 동시에 구현할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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