일반기술
질화갈륨 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법
본 기술은 화합물 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.- 특징전기적 특성 및 성장 박막의 특성을 죄우하는 버퍼층을 안전하고 쉽게 형성시키고, 버퍼층의 절연 저항을 크게 하여 활성층의 누설 전류를 줄이고 소자의 핀치-오프(pinch-off) 특성을 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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