일반기술
화합물 반도체의 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 에칭 표면이 공기중이나 탈리 온수 등에 노출되어도 산화막이 형성되지 않도록 하여 완벽한 화합물 반도체 표면을 얻기 위한 것이다. 기술의 특징 - 본 기술은 산성 또는 알카리성 식각 용액에 (NH4)2Sx를 첨가하여 PH를 조절한 식각 용액으로 화합물 반도체를 식각하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 유황 보호막을 형성하는 효과가 있으며, 진공중에서 열처리 또는 장시간 보관하여 유황 보호막의 유황이 해리되면서 자연 산화막 및 유황 산화막이 없는 완벽한 화합물 반도체 표면을 얻는 효과를 도출한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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