일반기술

저온 폴리실리콘 공정을 이용한 에스램의 감지 증폭기

본 기술은 저온 폴리실리콘 공정을 이용하여 형성되는 SRAM의 감지 증폭기 및 감지 증폭기를 이용한 셀 데이터의 감지 방법이 개시된다. SRAM의 셀은 기본적으로 래치 구조를 가진다. 셀로부터 출력되는 데이터는 비트라인 및 /비트라인으로 전달된다. 읽기 동작시, 비트라인 신호 및 /비트라인 신호는 서로 상보적인 관계이다. 비트라인 신호와 /비트라인 신호의 차이가 소정의 값을 상회하는 경우, 감지 증폭기는 이를 감지하고 증폭한다. 감지 증폭기는 2단계의 동작으로 수행된다. 첫 번째 단계에서 비트라인 신호 및 /비트라인 신호 중 하나의 신호를 선택하여 입력하고, 이를 제1 정보로 저장한다. 이어지는 두 번째 단계에서는 저장된 제1 정보와 새로이 선택된 신호를 비교하고, 전류차이에 따른 충방전 동작을 수행하여 발생되는 전압 레벨을 빠르게 래칭한다.본 기술은, 셀로부터 전달되는 제1 신호에 상응하는 제1 정보를 저장하는 비교 감지부와, 제1신호와 상보적 관계에 있는 제2 신호의 차이에 의해 발생되는 전류값에 따라 제1신호와 제2신호의 레벨을 비교하여 소정의 로직을 생성하는 버퍼부를 포함하는 감지 증폭기를 제공한다. 한편, 본 기술은 제1 신호를 수신하고, 제1 신호에 상응하는 제1 정보를 저장하는 단계와 제1 신호와 상보관계에 있는 제2 신호를 수신하고, 제1 신호와 제2 신호의 차이에 따른 충방전 동작에 의해 로직 레벨을 형성하는 단계를 포함하는 셀 데이터 감지 방법을 제공한다.본 기술에 따르면 저온 폴리실리콘 공정을 이용하여 메모리의 일종인 SRAM을 제조할 수 있다. 특히, 신호들의 편차가 발생하는 경우, 감지 증폭기가 가지는 동작 양상에 의해 신호들의 편차에 둔감한 메모리의 제조가 가능해진다.