일반기술
박막 형성 방법
본 기술은 박막 형성방법에 관한 것으로, 특히 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착에서 DC 바이어스를 적용하여 박막 품질을 향상시키고 선택적으로 트랩 사이트의 수를 제어하는 박막 형성방법에 관한 것이다.기판 위에 고유전 산화막의 박막을 형성하는 방법으로서, DC 바이어스를 인가한 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착으로 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.게이트 산화막이나 고유전 산화막 성장시 플라즈마 밀도가 높고 이온의 영향을 극소화한 원거리 플라즈마 원자층 증착법 또는 화학기상증착법을 실행함으로써 박막 밀도가 높고 누설전류가 적은 박막을 성장시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-03-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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