일반기술

화합물 반도체 레이저 다이오드

기술의 개요 - 본 기술은 레이저 다이오드의 구동에 따른 광 출력 및 신뢰성을 향상하기에 적당하도록 한 화합물 반도체 레이저 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.기술의 특징 - 본 기술은 기판 상부 중앙에 양측이 경사진 삽입 홈을 형성하고, 전류를 좌우 방향으로 제한하도록 기판상에 성장시켜 기판의 삽입 홈 영역을 제외한 표면에 내측이 경사지도록 에칭한 전류제한층(Current Block Layer : CBL)을 형성하는 것을 특징으로 한다. - 노출된 진표면에 제1 클래드층을 형성하며, 제1 클래드층 전 표면에 액티브층, 컨파인층(Confinement Layer), 베리어층, 제2 클래드층, 콘택층을 차례로 형성하여 완성한다. 도면의 조성비는 X>Y>Z의 관계를 가지며, 액티브층의 Al조성비를 0.0-0.5로 하며 제1,2클래드층의 Al조성비는 0.2-0.8로 하고, 베리드층의 Al조성비를 0.0-0.8로 하는 것이 특징이다.