일반기술

자기조립 다층 분자막의 제조방법

본 기술은 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 관한 것이다.본 기술은, (S1) 기판 표면에 분자층 증착법(MLD; Molecular Layer Deposition)을 이용하여 기상 반응에 의해 자기조립 유기 단분자막을 형성하는 단계, (S2)기판을 UV/O3 또는 O3로 처리하여 자기조립 유기 단분자막의 말단기를 -OH 또는 -COOH로 치환하는 단계 및 (S3)자기조립 유기 단분자막 상에 원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 금속 전구체를 반응시켜 금속 수산화물 단분자층을 형성하는 단계를 수행하되 (S1) 내지 (S3) 단계를 1사이클로 하여 반복 수행하는 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 대한 것이다.단시간 내에 고품질의 다층 분자막을 제조할 수 있으며, 자기조립 유기 단분자막 사이에 금속 수산화물 단분자층이 물리적이 아닌 화학결합으로 결합되어 다층 분자막이 보다 안정화될 수 있다. 반도체 또는 전자소자 제조를 위한 나노패터닝, 화학적 센서 및 생체 센서, 나노트라이볼로지, 표면 개질, 나노전자기계 시스템(NEMS), 마이크로전자기계 시스템(MEMS), 비휘발성 메모리 등 다양한 분야에 응용이 가능하다.