일반기술
탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및 그 제조 방법
본 기술은 탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 기술에 따른 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성되고 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층, 전하포획층 양측의 기판 내에 형성된 소스와 드레인 및 전하포획층, 소스와 드레인 상에 각각 형성된 전극을 포함한다. 이러한 메모리 소자의 제조 방법에서는, 용매에 분산시킨 탄소 나노튜브를 기판에 스핀코팅하여 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층을 형성한다. 본 기술에 따른 메모리 소자는 소자의 동작이 기본의 플래시 메모리 소자와 거의 동일하기 때문에 기존의 구동 회로를 재활용할 수 있는 장점이 있다. 본 기술에 따른 메모리 소자 제조 방법은 기존의 무기물을 사용한 플래시 기억 소자에 비해 훨씬 간단하며 제작 비용과 공정 시간을 최대한 단축시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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