일반기술

원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법

본 기술은 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법에 대한 것으로서 원자 힘 현미경의 음극 산화 리소그래피 방법을 이용하여 일정 식각 선택비를 갖는 두 층의 박막 중 상층 박막에 대하여 산화물 패턴을 형성하고, 산화물 패턴과 하층 박막을 차례로 건식 식각함으로써, 박막 패턴의 깊이를 획기적으로 증가시키고, 기존의 나노 패턴 리소그래피를 위한 유기물 레지스트 및 고 진공 환경을 필요로 하지 않는 박막 패턴 제작 방법에 관한 것이다.본 기술인 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법에 의하면, 레지스트의 코팅, 현상 제거 등의 공정 단계를 제거할 수 있으므로, 간편하고 저렴한 공정을 통해 박막 패턴을 제작할 수 있고, 레지스트 두께에 따른 패턴의 해상도 변화가 일어나지 않으며, 원자 힘 현미경을 활용함으로써 수 Å단위의 미세한 조작이 가능하고, 곡선과 같은 복잡한 패턴의 제작이 가능하다.