일반기술

FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조에서의 채널 영역의 균일한 결정화 방법

본 기술은 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조에서의 채널 영역의 균일한 결정화 방법에 대한 것으로서 각 TFT 소자마다 일정한 전류밀도가 적용될 수 있도록 배선 구조를 설계함으로써, 각 TFT 채널 영역의 균일한 결정화를 통해 비슷한 TFT 특성을 얻고 이를 저온 다결성 실리콘 TFT-LCD 및 OLED에 적용할 수 있는 트랜지스터 채널 영역의 균일한 결정화 방법에 관한 것이다. 이를 위해, FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조에서의 채널 영역의 균일한 결정화 방법에 있어서, 각 TFT 소자에 소스 전극을 공통으로 연결하고, 각 TFT 소자에 드레인 전극을 공통으로 연결한 후, 상기 공통 소스 전극과 공통 드레인 전극의 위치를 서로 반대되게 배치하는 것을 특징으로 하는 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조에서의 채널 영역의 균일한 결정화 방법을 제공한다.FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조에서의 채널 영역의 균일한 결정화 방법은, 각 TFT 소자에 소스 전극을 공통으로 연결하고, 각 TFT 소자에 드레인 전극을 공통으로 연결한 후, 공통 소스 전극과 공통 드레인 전극의 위치를 서로 반대되게 배치하는 것을 특징으로 한다.특히, 결정화 방법을 이용하여 생성된 다결정 실리콘 TFT를 OLED 어레이 기판에 적용하는 것을 특징으로 한다.