일반기술
저온공정이 가능한 원자층 증착 방법
본 기술은 웨이퍼를 기설정된 온도로 냉각을 유지하면서 소스 가스와 반응가스를 주입하는 단계, 각각에서 공정을 수행하는 웨이퍼 부분에 레이저 빔을 조사함으로써 웨이퍼의 구성물질의 차이에 따른 레이저 빔의 흡수율 차이에 기초한 온도차를 이용하여 선택적 증착이 이루어지는 원자층 증착 방법이 개시된다.본 기술에 따른 원자층 증착 방법은, 챔버 내에 로딩된 웨이퍼를 기설정된 온도로 유지하는 단계, 챔버 내에 소스 가스를 공급하면서 웨이퍼의 기설정 영역에 레이저 빔을 조사하여 가열하는 단계, 흡착되지 않은 가스를 퍼지하는 단계, 챔버 내에 반응가스를 공급하면서 기설정 영역에 레이저 빔을 조사하는 단계 및 반응하지 않은 가스를 퍼지하는 단계를 포함한다.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 기타 화학
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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