일반기술

질화물 반도체막 성장 방법

본 기술은 고품질 반도체 기판 형성 방법에 관한 것으로, 특히 질화물 반도체막 성장 방법에 관한 것이다.- 특징LED, 레이저 다이오드, 광검출기, 고온 및 고출력용 전자 소자 등에 이용되는 질화물 반도체막을 성장함에 있어서, 마스크를 이용한 측면 성장에 의해 반도체막 표면으로 전달되는 전파 전위(threading dislocation)의 밀도를 낮추어 소자의 성능을 향상시킨다.마스크를 중간에 제거하여 마스크와 질화물 반도체막인 GaN 에피 박막층 사이에 발생하는 응력을 제거하여 주기때문에 결정학적인 방향의 기울어짐과, 표면의 기울어짐 및 홈 형성이 억제되어 이로 인한 결함의 밀도가 감소하고 표면 평활도가 개선되어 소자의 성능이 향상된다.마스크를 중간에 제거하여 마스크와 질화물 반도체막인 GaN 에피 박막층 사이에 발생하는 응력을 제거하여 주기때문에 기판 위에 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체의 이종 구조를 형성하여도 크랙등의 결함이 발생하지 않는다.